Ejemplos ?
La velocidad de transmisión es de 2,8 y 128kbit/s y los datos eran enviados diariamente entre 0,5 y 5GB. La electricidad era obtenida por cuatro paneles solares desplegables con células de arseniuro de galio.
Silicio (Si) los tipos actualmente predominan pero ciertas versiones de microondas avanzado y de alto rendimiento ahora emplean el semiconductor compuesto de arseniuro de galio de material (GaAs) y el silicio-germanio aleación de semiconductores (SiGe).
Para conseguir estos factores de ruido, el amplificador de entrada del LNB, que es el que limita el valor de dicho factor, es especial y del tipo GaAs HEMT (High Electron Mobility Field Effect Transistor, transistor tipo FET de Arseniuro de Galio de alta movilidad).
Actualmente, una pequeña parte de éstos (los transistores bipolares de heterojuntura) están hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
La alimentación eléctrica está proporcionada por paneles solares compuestos por células de germanio y arseniuro de galio, que proporcionan hasta 300 vatios de potencia y alimentan unas baterías de níquel y cadmio con una capacidad de 18 amperios-hora.
La nave se estabiliza mediante rotación (12 rpm), con el eje de rotación perpendicular a la órbita. La energía la producen paneles solares de arseniuro de galio.
Seymour Cray trabajó allí en el proyecto Cray-3, el primer intento de usar a gran escala semiconductores de arseniuro de galio (GaAs) en la computación.
El arsénico es usado para la fabricación de semiconductores y como componente de semiconductores III-V como el arseniuro de galio.
Los dispositivos de estado sólido para microondas están basados en semiconductores de silicio o arseniuro de galio, e incluyen transistores de efecto campo (FET), transistores de unión bipolar (BJT), diodos Gunn y diodos IMPATT.
El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor eléctrico y las de un aislante.
Con los puntos cuánticos de materiales semiconductores, como arseniuro de indio y fosfuro de indio, se fabrican diodos láser emisores de luz más eficientes que los usados hoy en lectores de CD, de códigos de barras y demás.
La alimentación eléctrica la proporcionaban dos paneles solares desplegables constituidos por células solares de arseniuro de galio, produciendo un total de 102 vatios de potencia media.