Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada intersección.
1947 A mediados de los 40, Bell Labs crea el concepto de “celular”, desarrollando el primer servicio de telefonía móvil. Bell Labs inventa el transistor.
Para borrar (poner a “1”, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la técnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecánico – cuántico.
Años después Turing se convirtió en el adalid que quienes defendían la posibilidad de emular el pensamiento humano a través de la computación y fue coautor del primer programa para jugar ajedrez. En 1951 William Shockley inventa el transistor de unión.
Entre sus patentes y descubrimientos más importantes destacan la libreta de un solo uso, el transistor, el láser, la fibra óptica, la tecnología DSL, la telefonía móvil, los satélites de comunicaciones, el sistema operativo Unix y el lenguaje de programación C.
Célula fotovoltaica multiunión Energía solar fotovoltaica Diodo Electrónica de estado sólido Portador de carga Portador minoritario Portador mayoritario Transistor
1998 Horst Stormer y otros dos investigadores de Bell Labs reciben el premio Nobel de física por el descubrimiento de cargas fraccionarias en el efecto Hall cuántico. Historia del transistor (en inglés).
En la base de TR-2 el impulso hará que este transistor conduzca, realizándose un proceso similar al descrito al principio, cuando el que conducía primero era TR-1, que terminará bloqueando a este y dejando en conducción a TR-2 (salida Y a nivel bajo).
Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo.
Estas memorias están basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS con un conductor (basado en un óxido metálico) adicional localizado o entre la puerta de control (CG – Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG – Floating Gate) o alrededor de la FG conteniendo los electrones que almacenan la información.
Un monitor puede clasificarse, según la tecnología empleada para formar las imágenes en: Tubo de rayos catódicos o CRT (Cathode Ray Tube) Pantalla de cristal líquido o LCD (Liquid Crystal Display) Pantalla de plasma o PDP (Plasma Display Panel) TFT LCD (Thin Film Transistor: transistor de películas finas) Pantalla LED (Light Emitting Diode: diodo emisor de luz) OLED (Organic Light-Emitting Diode: diodo orgánico de emisión de luz) AMOLED (Active Matrix OLED: OLED de matriz activa) Super AMOLED (Super Active Matrix Organic Light-Emitting Diode: Súper AMOLED) En tanto, según el estándar, un monitor puede clasificarse en: Monitor numérico, MDA, CGA, EGA, analógico, VGA, SVGA, entre otros.
El método más simple de que una corriente sea "espín polarizada" es hacerla pasar a través de un material ferromagnético, que debe ser un cristal único, de forma tal de que filtre a los electrones de manera uniforme. Si en cambio se dispone el filtro frente a un transistor, éste se convertirá en un detector sensible a los espines.